GAJT-AE-N NovAtel Vietnam
GAJT-AE-N NovAtel Vietnam các sản phẩm được Power-Energy-Battery phân phối cũng chính là đại diện của hãng tại Việt Nam

1.Giới thiệu sản phẩm GAJT-AE-N
GAJT-AE-N là thiết bị Antenna Electronics GPS Anti-Jam Technology (GAJT) của NovAtel, được thiết kế chuyên biệt cho các nền tảng có kích thước nhỏ gọn nhưng yêu cầu cao về độ tin cậy của tín hiệu định vị GNSS. Sản phẩm đóng vai trò là khối điện tử anten, giúp bảo vệ tín hiệu GPS/GNSS khỏi nhiễu và gây nhiễu chủ động, đảm bảo hệ thống duy trì khả năng định vị chính xác trong môi trường phức tạp.
Tại thị trường Việt Nam, GAJT-AE-N NovAtel Vietnam được đánh giá là giải pháp tối ưu cho các ứng dụng hiện đại cần thiết bị chống nhiễu hiệu quả nhưng vẫn đảm bảo yếu tố nhỏ gọn và linh hoạt trong lắp đặt.
2.Đặc điểm nổi bật của GAJT-AE-N NovAtel
Giải pháp chống gây nhiễu chi phí thấp cho các nền tảng kích thước nhỏ
Dễ dàng tích hợp vào hệ thống hiện có
Hiệu quả trong các kịch bản gây nhiễu động với nhiều nguồn gây nhiễu đồng thời
Tương thích với cả bộ thu GNSS thế hệ cũ và hiện đại, bao gồm M-Code
Hoạt động với hầu hết các mảng anten 4 phần tử (anten cung cấp riêng)
Tính năng chính:
Bảo vệ GNSS cho vị trí, vận tốc và thời gian (PVT) với chi phí hợp lý
Khả năng suy giảm nhiễu lên đến 40 dB
Bảo vệ đồng thời các tín hiệu:
GPS L1/L2
QZSS L1/L2
SBAS L1
Galileo E1
Hỗ trợ M-Code trên GPS L1 và L2
Công nghệ triệt nhiễu số thích nghi (adaptive digital nulling)
Chức năng tự kiểm tra (Built-In Test) và trạng thái gây nhiễu được xuất qua giao tiếp RS-232
3.Thông số kỹ thuật
Tín hiệu GNSS (GNSS Signals)
Tần số trung tâm:
GPS L1, QZSS L1, SBAS L1: 1575,42 MHz ±12 MHz
GPS L2, QZSS L2: 1227,6 MHz ±12 MHz
Galileo E1: 1575,42 MHz ±12 MHz
Khả năng chống nhiễu (Interference Rejection)
Chống nhiễu đồng thời L1/E1 và L2
Mức triệt nhiễu điển hình: 40 dB
Số hướng triệt nhiễu đồng thời: 3
Tùy chọn mảng anten (Antenna Array Options)
Hỗ trợ băng tần L1 và L2
Dòng anten CRPA 4 phần tử:
4NF-5.5CG1215P
Các tùy chọn khác: liên hệ NovAtel
Cổng RF (RF Ports)
Ngõ vào RF: 4 × SMA 50 Ω
Ngõ ra RF: 1 × SMA 50 Ω
Cổng nguồn & truyền thông
1 đầu nối LEMO dùng chung cho:
Truyền thông RS-232 (field loading)
Cấp nguồn DC
Thông số vật lý & điện
Công suất tiêu thụ: 15 W
Điện áp đầu vào: +10 … +32 VDC
Hiệu năng RF (RF Performance)
Hệ số khuếch đại chủ động: 40 dB
Vỏ GAJT-AE-N (Enclosure)
Kích thước: 179,5 × 155,5 × 39 mm
Khối lượng: 1.200 g
Điều kiện môi trường (Environmental)
Tiêu chuẩn môi trường: MIL-STD-810G
Nhiệt độ
Nhiệt độ làm việc: −40 °C … +71 °C
Nhiệt độ lưu trữ: −55 °C … +85 °C
Độ ẩm
Tối đa 95%, không ngưng tụ
Rung & sốc
Rung: MIL-STD-810G (CH1), Method 514.7
Sốc: MIL-STD-810G (CH1), Method 516.7
Khả năng bảo vệ vỏ
Ngâm nước: MIL-STD-810G (CH1), Method 512.6
Mưa tạt: MIL-STD-810G (CH1), Method 506.6
Phun tia nước: IEC 60529, IPX6
4.Ứng dụng thực tế của GAJT-AE-N NovAtel Vietnam
GAJT-AE-N được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực yêu cầu thiết bị nhỏ gọn nhưng vẫn cần khả năng chống nhiễu mạnh mẽ:
Hệ thống dẫn đường và định vị trên phương tiện nhỏ
Thiết bị bay không người lái và nền tảng tự động
Ứng dụng hàng hải và giao thông thông minh
Hệ thống công nghiệp hoạt động trong môi trường nhiễu cao
Các giải pháp công nghệ cao yêu cầu độ tin cậy GNSS




Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.